爾谷光電光催化設(shè)備原理是基于光催化劑在光照的條件下具有的氧化還原能力，從而可以達(dá)到凈化污染物、物質(zhì)合成和轉(zhuǎn)化等目的。一般情況下，

光催化氧化反應(yīng)以半導(dǎo)體為催化劑，以光為能量，將有機(jī)物降解為二氧化碳和水。所以光催化技術(shù)是一種高效且安全的環(huán)境友好型環(huán)境凈化技術(shù)。

當(dāng)紫外線能量大于或等于能隙的光照射到半導(dǎo)體納米粒子上時(shí)，其價(jià)帶中的電子將被激發(fā)躍遷到導(dǎo)帶，在價(jià)帶上留下相對(duì)穩(wěn)定的空穴，從而形成電

子—空穴對(duì)。由于納米材料中存在大量的缺陷和懸鍵，這些缺陷和懸鍵能俘獲電子或空穴并阻止電子和空穴的重新復(fù)合。這些被俘獲的電子和空穴

分別擴(kuò)散到微粒的表面，從而產(chǎn)生了強(qiáng)烈的氧化還原勢(shì)。